Jump to content

    

Mikhail_2019

Участник
  • Content Count

    6
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный
  1. Удалось решить проблему с ячейками - поставил симуляционную модель переключателя (транзистора) и все заработало. Насчет излишнего кол-ва компонентов - я просто с запасом можно сказать взял - либо увеличу матрицу памяти, либо возьму декодеры меньшей разрядности.
  2. Нет, это я сам такое нагородил)) Вы имеете ввиду, что нужно объединить два декодера в один?
  3. Так ведь не работает. Пробовал ставить обычный nMOSFET и на выходе получается дребезжащее состояние. После записи "0" он сохраняется в ячейке, а вот "1" туда уже не записывается. Может из библиотеки какой-то особенный мосфет нужен.
  4. Не понимаю о чем Вы? Так, вроде начало проясняться)) И как это исправить?
  5. А разве при отсутствии сигнала записи, там не должно быть 3-е состояние? Значит я неверно понял принцип работы SRAM(( Сигнал записи у меня как бы есть - это W. Ну и собственно два "И" сверху как раз и пропускают или не пропускают данные со входа. Или я что-то не так делаю? Если действовать по следующему алгоритму, то наблюдается ошибка: выбираем адрес 11, включаем W и CS - записывается "0" в ячейку. Выключаем W и CS. Выбираем адрес 01. Включаем только CS и ячейка уже меняет значение на "0" без сигнала W. Или если выбрать ячейку 10, записать туда "0", а потом выбрать адрес 01 и включить CS, то значение в ячейке 00 поменятся на "0". Кстати да, там должны стоять МОСФЕТы вместо буферов, но с ними вообще не работает никак, и без резисторов тоже.
  6. Добрый день! Пытаюсь смоделировать работу статической памяти RAM в Multisim. Построил схему, но работает не корректно. Посмотрите, пожалуйстаSRAM_CELLS.ms14