Jump to content

    

MosAic

Свой
  • Content Count

    139
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About MosAic

  • Rank
    Частый гость

Контакты

  • ICQ
    Array

Recent Profile Visitors

809 profile views
  • jam

  1. HD6809P

    Ищу хоть один экземплярчик HD6809P. Ну а парочка будет еще лучше. Б/ушность значения не имеет. Это микропроцессор от Hitachi. DIP40. Когда-то они были довольно популярны. Может у кого завалялся такой тараканчик? Хочу оживить один ретро-девайс.
  2. Непонятно почему вы используете серву, если нет энкодера. Без обратной связи этот привод просто нельзя называть сервоприводом, а его возможности не используются и на 1/1000. Возможно, вашу задачу можно решить и обычным преобразователем частоты (что гораздо дешевле), но обратную связь все равно придется сделать, хоть и упрощенную (вместо энкодера один датчик, например индуктивный). А вот можно ли применить такое упрощенное решение в вашем случае зависит от ТЗ (точность позиционирования и скорость в первую очередь).
  3. Вот еще одна полезная ссылочка по теме. Производитель - Holux (официальный сайт). В России не искал. Если кто знает местных поставщиков - киньте пожалуйста ссылочку.
  4. Забавно. Долго выбирал себе логгер, но все как-то не очень нравятся. Из того что видел более-менее устроил Holux GPSport 260 (с барометрическим высотомером, IPX7, 5 000 руб в столице) Решил посмотреть можно ли сделать "под себя" такую вещь и тут наткнулся на вашу тему... Очень удивился, что кто-то еще озадачен такой "бредовой идеей" :) Честно говоря, не факт, что буду этим заниматься, но готов поделиться тем, что накопал. За границей заказывать видимо не нужно. Если верить этой табличке, то все необходимое есть на складе в Москве. С антенной порядка $30 обойдется. Наверняка это не единственный вариант. Что касается выбора чипсета, то для себя однозначно ориентируюсь на МТК, как имеющий наименьшее энергопотребление. По чувствительности все известные мне конкуренты на том же уровне. А зачем вам плата с плисиной? Эта плата наверняка еще и потребляет как печка. Не будете же вы с собой электростанцию по горам таскать. Этими модулями можно через UART управлять, самый простенький микроконтроллер справится. Вообще-то внутри модулей уже сидит ARM7, но я пока не разобрался можно ли его загрузить дополнительной работой (например записью лога на SD). Хотя у некоторых модулей кажется есть несколько GPIO, это обнадеживает.
  5. Как-то все очень правильно,но слишком сложно. Для оценки быстродействия фотодиода достаточно в качестве источника импульса лазерного диода из указки. У него полоса до гигагерца линейная. Смещение 5-10ма и быстрый ключ. Фотодиод нагрузить на 50 Ом и к разъему осциллографа через конденсатор. Не забывать про смещение! У некоторых фотодиодов быстродействие сильно зависит от него, у других не очень. Лучше проверить. Для проверки светодиода необходим приемник с известной характеристикой. Можете снять частотную характеристику со своего фотодиода с помощью описанной выше схемы. Но обычно полоса светодиода не превышает несколько десятков мегагерц. Очень редки до 100. Хочу отметить, что от ключа тоже много зависит. Попробуйте аккуратно подобрать емкость параллельно токоограничивающему резистору. Она должна быть примерно равна емкости перехода светодиода. Это может позволить увеличить крутизну перепада до 2-х раз. Вдогонку. Если 3 мкм не описка (обычно такие вещи "noname" не бывают и их характеристики известны. Я при первом прочтении воспринял как диаметр корпуса 3 мм), то можно попробовать оптоволоконный лазер на 1,5 мкм. Может он и попадет в полосу чувствительности фотодиода.
  6. Пояснения будут. Вот только чуть освобожусь... У меня к вам последние вопросы: 1. Какова реальная длительность фронтов сигнала от источника? 2. Не превышает ли ток фотодиода 50 мкА в максимуме? Присутствует ли звон при меньшей амплитуде сигнала? 3. Напоминает звон затухающую синусоиду или ее форма сильно изкажена (несколькко приплюснуты верхушки)?
  7. Действительно... Мне на пиктограмке в сообщении показалось, что стрелка направлена наружу :) Спасибо, Stanislav.
  8. Эта схема принимает амплитудно модулированый оптический сигнал. По АРУ можно сказать следующее. КП305 (кстати с n-каналом, а на схеме изображен р-канал) работает как управляемое сопротивление в делителе. Напряжение отсечки у него отрицательное. Вот после удваивающего детектора и формируется отрицательное напряжение (относительно земли), выпрямляется с постоянной времени 0,5 секунды и управляет полевиком. Чем меньше сигнал, тем ближе потенциал затвора к земле и меньше сопротивление канала, больше коэффициент усиления каскада на втором ОУ.
  9. Этот результат меня заинтересовал, Дмитрий. Если пожелаете, то я поясню с картинками что делает конденсатор в обратной связи и с чем он призван бороться. А вас прошу сообщить где наблюдали "звон" на фронтах? При моделировании в МикроКапе или на реальном макете? Если при моделировании, то выложите пожалуйста модель фотодиода, которую использовали. Если на макете, то какой длины выводы были у фотодиода? А еще лучше фотографию входной цепи этого макета. Если конечно будет интересно докопаться :)
  10. Жаль, что самого интересного вы не сообщили. А именно полосу пропускания и тип JFET. Ну и тип фотодиода, конечно. Судя по смещению и назначению, он лавинный.
  11. lks, ответ простой. У резистора обратной связи есть паразитная емкость (скорее всего около 0,5 пФ). Это значит, что ее достаточно для компенсации полюса при емкости фотодиода на два порядка меньше, чем установленного в схеме. Т. е. при емкости фотодиода в десяток-другой пикофарад все просто шоколадно :)
  12. Поэтому и прсмотрел даташник :) Этот операционник нормально работает до -0,1 В на входе. А допустимый предел -0,3 В. Но с поднятой землей, действительно будет надежно. Я просто описал где находится граница допустимого. Что касается разных операционников и фотодиодов, то есть формула для конденсатора в обратной связи, компенсирующего это явление. В нее входят емкость на входе, сопротивление обратной связи и частота единичного усиления операционника. Саму формулу можно посмотреть например в 3-й главе Graeme J.G. Photodiode Amplifiers. Книжку можно взять в upload\Books\Opto
  13. Позволю себе высказать некоторые соображения: 1. Посмотрев даташник на этот операционник, убедился в допустимости сигнала до -0,1 В на входах. Видимо при малых сигналах поднимать землю не нужно. Но имейте ввиду, что при очень сильной засветке напряжение на инвертирующем входе может достигать -(0,6-0,8) В. А это уже не нормальный режим для операционника. 2. Фотодиод включен в фотовольтаическом режиме. Этот режим используется в тех случаях, когда важно иметь нулевой сигнал при отсутствии освещенности (нет напряжения на фотолиоде - нет тока утечки). Если это не принципиально, то смещением можно уменьшить емкость фотодиода раза в 3. Это поможет заметно улучшить SNR. Ну а если фотовольтаический режим выбран сознательно, то тогда уж скомпенсируйте и ток утечки неинвертирующего входа, подключив его не прямо на землю, а через резистор с тем же номиналом, что и резистор обратной связи. И не забудьте зашунтировать его большим конденсатором. 3. Номинал резистора обратной связи и напряжение питания ограничивают максимально допустимый ток фотодиода уровнем 50 мкА. Судя по емкости 900 пФ, датчик большой и такой ток даст при очень слабом освещении. С превышением этого тока операционник будет уходить в насыщение. 4. Теперь собственно о "звоне". Параллельно резистору обратной связи нужно подключить конденсатор емкостью 4,7 пФ (формула дает 5,35 пФ, но там есть еще паразитная емкость резистора). 5. На всякий случай замечу, что выход операционника должен быть нагружен на емкость не больше 47 пФ. Иначе нужно с ней бороться как написано в даташнике.
  14. Спасибо за интересные комментарии. Не могли бы вы указать какие-нибудь модели JFET, иллюстрирующие такие высокие рабочие частоты и C/S? Особенно интересуют маломощные высокочастотные приборы с возможно меньшей входной емкостью. Я коллекционирую такие :) Центры генерации-рекомбинации, насколько я знаю, возникают из-за нарушения структуры кристаллической решетки. Наиболее проблемные места - резкие границы между различными структурами прибора, ограничивающие канал. В JFET они расплывчатые по сравнению с MOSFET и поэтому "ловушек" носителей в них гораздо меньше, несмотря на бОльшие размеры канала. Просто они реже образуются. Разве не так? Почему же заведомо? Все зависит от конкретного исполнения. Да и про температуру вы сами упомянули. Вобщем-то я даже не задавался определенным типом прибора, слово "фотодиод" не звучало. И если емкость источника 0,1 пФ (мне кажется это реальнее), то изменение напряжения от 1 е будет 1,6 мкВ. Не такая уж малая величина. Особенно если вспомнить, что мы еще не задавались и полосой пропускания усилителя. Понятно , что для подсчета фотонов лучше использовать трубки. Но я все же имел в виду как раз случай, когда ток датчика соизмерим с током утечки JFET. Прошу прощения за "практически отдельные фотоны". Это была неудачная фраза.
  15. Спасибо, уважаемый jam. Прибор, конечно, любопытный. Однако, не указана почему-то нигде входная емкость. Для всех остальных малосигнальных MOSFET Ренесаса указана, а для этого нет. Может она не нормируется из-за сильного разброса? Любопытно... Знаете, у меня вот какое представление по этому поводу: 1. JFET не забираются в UHF. Просто в силу принцыпа действия. В начале этого века JFETы на арсениде галлия едва дотягивали, если не изменяет память, до 30-70 МГц. В то же время, MOSFET работали уже на десятках гигагерц. Вернусь домой через пару недель - уточню в своих книжках. 2. JFET, как правило, имеют сравнитеьно небольшую крутизну по сравнению с MOSFET при одинаковой входной емкости. Это большой минус для малошумящих усилителей высокой частоты, как впрочем и значительная входная емкость этих приборов. 3. JFET имеет преимущество перед нормальными MOSFET только на низких частотах (порядка десятка килогерц, а то и ниже). И связано это именно с шумом 1/f (розовым). Просто есть такая качественная зависимость, что чем резче границы между структурами полупроводникового прибора, тем больше розовый шум. У JFET граница канала размытая и действительно именно розовый шум у лучших представителей на удивление низкий. 4. JFET проигрывает MOSFET еще и по току утечки (а следовательно и по дробовому шуму). В некоторых приложениях это может быть существенно. Например при измерении очень низких освещенностей, когда ловятся практически отдельные фотоны. Прошу считать все изложенной моим личным "сухим остатком", оставшимся от просеивания литературы и некоторого опыта. Если в чем-то ошибся, буду рад узнать о своих заблуждениях. :)