Leka

У меня другое решение появилось благодаря дискуссии - два аккумулятора через диоды в параллель. Возможны два варианта работы: или ток заряда разделится примерно поровну (по ~0,05С в каждый), или один будет отдуваться под полным зарядным током (~0,1С), и работать стабилитроном, а другой отдыхать заряженным. Общая надежность повысится.

Для незаряжаемой литиевой батарейки это тоже м/б проблемой - по остаточной емкости, как определять ? Для аккумулятора можно предусмотреть несложную схему оценки внутреннего сопротивления (один транзистор для кратковременного подключения мощной нагрузки), для незаряжаемой батарейки такой метод не подойдет. Или Ni-MH может потечь до деградации таких электрических параметров, как напряжение и внутреннее сопротивление ? Мне Ni-MH (которые с низким саморазрядом) нравятся своей неприхотливостью, использую уже давно. -

У, VARTA, например, есть отдельный раздел: "for bridging applications", а еще для новых Ni-MH допускается неограниченное время подзарядки током 0,1С при потере емкости до 80%. https://www.varta-ag.com/fileadmin/varta_microbattery/downloads/service/battery-documentation/nickel-metal-hydride/Sales-Literature-201810_HANDBOOK_Rechargeable_Button_Cells_NiMH_en.pdf Сейчас только нашел этот документ, так что вопрос можно считать закрытым - буферный режим допустим для Ni-MH, изготовленных по новой технологии. Надо будет только получше поискать документацию у других производителей, для сравнения.

Нет. Режим "continuous overсharge" (или "trickle charge") подразумевает, что ток подзаряда существенно больше тока саморазряда, и аккумулятор работает в режиме стабилитрона. Далеко не все аккумуляторы допускают такой режим. Пример из даташита:

Именно это и имеется в виду, в даташитах этот режим еще может называться "trickle charge", и работать годами без деградации (при токе непрерывного подзаряда < 0,1С). Например, не менее 6 лет при токе не более 0,03С (попалось такое в одном даташите). Перезаряда не происходит, аккумулятор работает, как стабилитрон.

Увидел, в даташитах пишут параметр "continuous overсharge", например: 0,1С в течении года. Как при этом деградирует аккумулятор, не пишут (не увидел).

Несколько лет назад прочитал в даташите (на сайте производителя, сейчас на сайтах только реклама, даташиты сходу не находятся), что Ni-MH с низким саморазрядом допускают постоянный подзаряд малым током. Это существенно упрощает схемотехнику. Есть у кого какая практика/информация по такому режиму работы аккумулятора ?

Чушь.

tjournal.ru 14 марта 2022 года сайт издания заблокирован на территории России по требованию Генеральной Прокуратуры РФ

Человеческий мозг заканчивает свое развитие к 20 годам. Обучать чему-либо после этого возраста - получится белковый робот. Нужно что-то большее - снижать порог вхождения.

Крупный ФАБ столько за час производит.

Новейшая история. На складе модель NNN закончилась, нужно 1000000 штук, ближайшая поставка - XXX недель. Аналог есть? Есть, но другой набор периферии. Переписать программу. И другой корпус. Переделать плату.

Бег по кругу, 2022 --> 1970.

Это еще почему ? Упрощенно говоря, микропроцессору нужно много тактов для реализации какого-либо простого алгоритма, жесткой логике - 1 такт. Именно поэтому переходят на жесткую логику, если требуется производительность или энергоэффективность. Почему предлагаю реанимировать толстые техпроцессы - из-за существенно более низкого порога вхождения. Ниже порог вхождения - больше вероятность, что в эту отрасль попадет тот, кто впоследствии сможет вытянуть ее на передовой уровень.

А какой он, требуемый уровень ? https://ru.wikipedia.org/wiki/Список_микроэлектронных_производств

И n-МОП, и КМОП мне делали с самосовмещенными затворами и нитридом кремния. Стабильные 0.6В порога для n-МОП, 0.8В для p-МОП (емнип). Вполне приличные скоростные характеристики получались даже на n-МОП. А КМОП и на 1В питании работала (при внешнем тактировании). Схемотехника рулит ! ---- 1мкм по маске, это м/б ~~0.2мкм канал, да еще толщину подзатворного окисла можно уменьшить по современным технологиям, да еще жесткая логика вместо программируемой - переплюнет stm32.

Даже с толстыми техпроцессами ? 30 лет назад вся экспериментальная технологическая площадка помещалась на одном этаже высотного здания (вместе с лабораториями разработчиков), n-МОП целиком делалась на этой площадке (ионное легирование для КМОП делалось на другой площадке). Если не путаю. В те времена большой проблемой была высокая плотность дефектов на пластине, сейчас с этим гораздо лучше, и толстый техпроцесс может получиться заметно дешевле тонкого техпроцесса в небольших партиях чипов малой и средней степени интеграции. А выигрыш по техническим параметрам получить за счет перехода от программируемой логики к жесткой.

Зависит от решаемых задач. Если специалист может самостоятельно разработать, например, устройство на дискретной логике, и понимает схемотехнику дискретной логики - без проблем и очень быстро научится проектировать ИМС. А потом и к более сложным проектам перейти. Тут вообще начинающие ПЛИСоводы часто норовят со схемотехнического ввода начать, так что проблем с поиском таких специалистов быть не должно.

Конец 80-х - начало 90-х, фотошаблоны 1мкм, для заказчиков делал по 3мкм нормам (многоканальные схемы считывания слабых сигналов). Для себя в тестах и 1мкм пробовал, и разные нестандартные решения, все работало ожидаемо. Предприятие не хочу называть. У меня вообще не профильное образование, быстро обучился на месте (а схемотехникой с детства увлекался).

Мои чипы делали на экспериментальной площадке, технологи постоянно меняли/совершенствовали процессы/режимы, все работало без изменения топологии. Только однажды вдруг пошел 100% брак, когда вместо дорогих высокоомных подложек (с последующим легированием до нужного уровня), стали применять дешевые низкоомные (без дополнительного легирования). А у меня динамическая n-МОП логика была - перестала работать из-за возросших утечек (плавный пробой вместо резкого у паразитных диодов). Сказал об этом, исправили. И это только для n-МОП была проблема, для КМОП вообще проблем не было. А вот у других разработчиков в лаборатории, с динамической n-МОП логикой ничего не получалось - как раз из-за схемотехнических ошибок. Хотя объяснял и показывал узкие места. Все просто до определенного техпроцесса, именно этим в первую очередь хороша КМОП-логика.

Имхо, для начала - замена любой КМОП-цифры мелкой и средней интеграции, в тч МК с постоянной прошивкой. Те то, что можно спроектировать нечувствительной к изменениям техпроцесса (в определенных пределах). При грамотной схемотехнике передаваемая топология не должна зависеть от фабрики (для КМОП-цифры). Разные фабрики сами должны вводить поправки в топологический рисунок (учет подтравов, разгонки, и тп).

Не согласен. Должно получиться, как с промышленным изготовлением печатных плат - дешево и быстро для любого количества от 1шт, доступно любому с улицы. (До определенного уровня технологии, конечно.) Тогда получится развитие отрасли, а не банкет для узкого круга допущенных.

Имхо, с таким-же эффектом можно обязать каждого гражданина ежегодно сдавать в МФЦ список нуждаемых продуктов на год, с указанием периодичности и магазина, из которого предполагается забирать. Получится, как 30 лет назад - сейф с компонентами забит под завязку, а необходимых для сознания нового измерительного стенда нет, тк ТЗ принесли уже после отправки списка. Поэтому и считаю, что вместо централизованного управления и производства дикой номенклатуры ИС мелкой и средней интеграции, лучше создавать сеть мелких фабрик "быстрого реагирования". С максимально простыми и эффективными для данной задачи технологиями. С низким порогом вхождения потенциальных потребителей. А необходимые нанометры развивать отдельно, тк задача сложная и долгая. И нет никакого смысла цеплять туда в нагрузку низкотехнологичный ширпотреб.

"Современный" ФАБ, 20тыс пластин/месяц * 50тыс чипов/пластина = 1млрд чипов/месяц - куда столько для огороженной от остального мира страны с населением 150млн ? Взять чип для банковской карты - какая разница, какая площадь, 0.6*0.6мм2 или 6*6мм2, если себестоимость будет одинаковая (а она и будет одинаковой при малых объемах выпуска) ? Взять "современную" печатную плату, одну СБИС окружает сотня мелочевки, которая в сумме стоит дороже одной СБИС (с учетом цены за "точку пайки" и тд) - красиво ? Имхо, в условиях неизбежного "железного занавеса" (в области высоких технологий) нужно постепенно отказываться от "западной" модели развития микроэлектроники. И вместо гонки за нанометрами - смотреть в сторону снижения порога вхождения самых мелких фирм в область разработки и производства микроэлектроники.

Сейчас больше всего хотелось бы сесть в машину времени, и перескочить на ~~30 лет назад (очень примерно, уже не помню хронологию того времени). Интересная творческая работа, черная икра в столовой (без шуток), абсолютно гибкий график работы (специальный штамп в пропуске), и мир добрее был (как казалось).