Jump to content

    

Maksimka

Свой
  • Content Count

    101
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Maksimka


  1. Странный даташит. Графики не бъются со значениями в таблице. Причем тут импульсы - вообще не понятно. Vgs(off) - напряжение отсечки. Начальный ток стока 1 мА - это типо нормально закрытый? Потому что нормально открытый с таким током - не понятно для чего такой вообще делать.
  2. Match не используется вообще. В качестве Reflect может использоваться ХХ либо КЗ. Количество Line разной длины зависит от диапазона частот. В Thru должен быть весь тракт кроме конденсатора, вместо конденсатора сделайте перемычку.
  3. Попробуйте этот ZFREQ прицепить к земле либо к порту с импедансом 0 Ом. Как альтернативу HBTUNER вместе с обычным портом. Я его правда использовал только на фиксированных частотах. Попробуйте задать массив значений. Как еще одну альтернативу можно попробовать подобрать RLC цепочку.
  4. https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Layout/layout_config.html http://kb.awr.com/display/examples/Layout_Line_Types
  5. Делайте с помощью окружностей и булевых операций.
  6. Не знаю, не пользовался.
  7. Нужно открыть топологию new_cell. Затем нажать на библиотеку (в данном случае HMC611...). Появится список всех ячеек библиотеки. Выбрать нужную и перетащить в окно топологии new_cell. Сохранить топологию или весь проект.
  8. Для этого нужно другую ячейку верхнего уровня перенести в new_cell и сохранить изменения.
  9. Реактивную часть тоже скомпенсировать надо. В Load_Pull_Template для всего этого есть тюнеры, крутите их.
  10. У вас условия даны Vds=3V, Vgs=0V. Чего вы тут ерничаете.
  11. Они привязываются к концам линий в тех местах, где подключаются другие элементы, не участвующие в ЕМ анализе. Нумеруются они автоматически.
  12. Если используете модели резистора и конденсатора от производителя, то их не надо включать в анализ ЕМ. Если используете сосредоточенные модели для каких-то первичных расчетов, то тоже не надо включать. Если у вас они конструктивно формируются (например, резистор напыленный, конденсатор МДМ/ВШК), то нужно сначала описать слои, участвующие в формировании, и считать уже в ЕМ. Как это делается скорее всего в примере выше.
  13. Давайте больше конкретики. Какого пациента рассматриваем? Какой IG после подачи VG минус 5 В? Какой IG, ID после подачи VD (лучше даже плавно подавать)? Какой IG после увеличения VG до нужного IDQ? СВЧ пока не подаем, разберитесь с режимом DC. Если вам приходится увеличивать ограничение по току IG больше, чем в спецификации изготовителя - это уже не нормально. В таком режиме не сейчас, дак потом умрет.
  14. Может проблема в этом? Сначала надо VG минус 5 В. Потом VD (20/28/40 В в зависимости от транзистора). Потом увеличиваем VG пока не получим IDQ.
  15. В даташите на 5 ГГц указано 12,78 дБ. С учетом потерь и прочего можно сказать, что транзистор нормально работает. А пишите что без результата. Для этого уже надо согласовывать.
  16. 1 Разделительных конденсаторов нет. Не убили еще ваш измеритель S-параметров? 2 Резистор по стоку 150 Ом. На нем все напряжение скорее всего падает. 3 Какие напряжения подаете?
  17. Никогда не встречал, чтобы RS и keysight выдавали отрицательную мощность в Вт. Тем более логарифм отрицательного числа попробуйте взять.
  18. Вы уже сами ответили на свой вопрос. Для работы в узкой полосе - СЦ. Для широкой полосы - без СЦ. А то, что S11 плохой, ну тут так сказать издержки.
  19. Во-первых, S-параметры - малосигнальные, а ZS и ZL определяют на большом сигнале. Во-вторых, S-параметры не должны сходиться с ZS и ZL. S11 и S22 - импедансы входа и выхода усилителя. ZS и ZL - импедансы цепей согласования в соответствующем стрелкам направлении. При согласовании по входу добиваются, чтобы ZS был комплексно сопряженным ZIN (входному импедансу транзистора при большом сигнале), при этом |S11| становится приемлемым (очень желательно меньше минус 10 dB), а также вытягивается усиление. При согласовании по выходу уже добиваются нужной мощности и пр. И я думаю, что ZS и ZL значительно изменяются от режима. У вас режим A, а данные получены при Idq = 250 мА.
  20. File -> New project with library -> Browse library (дословно не помню) и выбираем ini файл.
  21. Запускаете AWRDE, загружаете S-параметры, строите схему с рабочей точкой, в которой были сняты S-параметры, строите графики S-параметров схемы, ставите цели оптимизации по графикам (чтобы соответствовали загруженным S-параметрам), в оптимизацию включаете параметры модели, запускаете оптимизацию. Возможно придется несколько раз пробовать. Ну или без оптимизации руками подбирать. Вы бы для начала сказали что за транзистор у вас.
  22. V(BR)CEO (formerly BVCEO) - breakdown voltage, collector-emitter, base open V(BR)CES (formerly BVCES) - breakdown voltage, collector-emitter, base short-circuited to emitter
  23. А транзистор биполярный Согласовать то можно, только будут ли другие параметры нормальными? Посмотрите на appnote, может некоторые вопросы отпадут.
  24. Согласен. Я как-то этот момент подзабыл :laughing: Такой транзистор врят ли сгорит, даже если будет полностью открыт.