Jump to content

    

cg_shura

Участник
  • Posts

    33
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by cg_shura


  1. А, тоже вариант, но тогда еще и компаратор или схему переключения надо. Тут не понимаю, почему STM8S будет больше потреблять от питания 4.2В при работе с 3.3-вольтовым устройством. Расскажите пожалуйста подробнее.
  2. Да, помогло, спасибо. Действиьельно нет разницы относительно схемы с доп. полевиком. С этим знаком, спасибо. Но вот тут не понял мысли, можете подробнее? Что находится под нелогичным уровнем? Так входное напряжение расчитано так, что 4.2В это будет максимум, при минимальном токе и макс. температуре. Т.е. при минимальном падении на диоде шотки на выходе будет 4.2В. В чем тут вы видите проблемы? Изначально вопрос был в том, какой должен быть минимальный зазор (исходя из практики) между верхним уровнем единицы 3.3-х вольтового устройства и нижним уровнем единицы 4.2-х вольтового устройства.
  3. Я правильно понимаю, что биполярнику для открытия достаточно микротоков? Например для BC817 приведен параметр "emitter-base cut-off current" - 100 nA. И биполяр в этой схеме как простая перемычка, что вы несколько постов назад и приводили. Немного разные, в схеме с полевиком видно что потребление от аккума нет при наличии DC: А в схеме с диодами потребление от аккума есть при наличии DC: Спасибо. Не знал. Из 12В ST1S10 делает 4.6В. Эти 4.6В идут на зарядник li-on, и через диод на всю остальное идет уже ~4.2В.
  4. Что есть PMOS? В смысле, какие компоненты есть на этом принципе? Так нелогичных нет. Все в рамках даташитов. В чем нарушение? Вопрос только какой должен быть минимальный зазор для надежности: --- Биполярный начинает работать от микротоков, в итоге воспринимает ток утечки. А тут с полевиком получается надо достаточно большой ток, чтобы создать падение на резисторе и открыть полевик. Вообщем с биполярным не работало нормально (в microcap). Может и ересь, я в схемотехнике новичок. Как бы это дело промоделировать в microcup, непонятно как это задать в "Stepping". Это да, 1К на затворе уже достаточно шунтирует обратный ток диода. Правда провалы поболее, чем в схеме с дополнительным полевиком (при переключении с батареи на DCDC). Да? Практически не сталкивался, просто везде писано что при отрицательных температурах заряжать нельзя и еще емкость падает сильно при ниже нуля. Да, но 12В нужны по любому.
  5. Сетевой адаптер 12В, там еще и реле будут 12-ти вольтовые, потому надо 12В. Плюс возможность питания от гелевого аккума (на морозе li-on не работает). Опробовал еще один вариант с подавлением обратного тока, как предлагал smalcom И вроде все работает как надо, может чего недосмотрел, гляньте пожалуйста. dc_or_bat.diode_and_mosfet.zip
  6. 8 Мбит, боюсь подтяжка завалит фронты. Тут дело в том, что слейвы (STM8S) маленькие, места мало. И они должны быть максимально дешевые. На слейвы (STM8S) поступает "универсальное" напряжение питания с DCDC или батареи, 3,2-4.2В. На слейвах от этого напряжения питается не только STM8S, но и другая периферия. Ток от 4.2В может быть до 1-2А. Чтобы питать слейвы от 3.3, это надо на каждом слейве LDO ставить, тоже удорожает и места мало на слейвах. Да, будет 3.2В. Но их не надо пропускать через LDO для какждого слейва. --- А чем чревато то, что в течении этих 20-50 мсек на батарейку будет подано 3.3-3.6В от DCDC? Для li-on это безопасно?
  7. Без С1 выбросов вообще нет. С С1 и R3 800R только положительные выбросы (потребление от аккума), это вроде не вредно для аккума. Тут может тоже посоветуете, у меня 3.3-х вольтовый STM32 работает по SPI с 5-ти вольтовым STM8S. И 4.2В питание, а не 5В - для того чтобы обеспечить надежный минимальный уровень лог. единицы для STM8S. При 4.2В уровень лог. единицы для STM8S 4.2 * 0.7 = 2.94В, вроде нормальный зазор с 3.3В единицей от STM32. При 4.5В * 0.7 = 3.15В, уже близко к 3.3В, или 0.15В надежный зазор? Да, DCDC выдает 4.5В в рамках своей погрешности стабилизации. --- Что-то не влияет номинал С1 на выбросы, одинаковы как с 0.1u, так и с 10u: 0.1u 10u
  8. Спасибо. Только заметил выпады тока на аккумуляторе в момент переключения, не знаю не опасно ли это и насколько вредно для срока службы аккумулятора. С компаратором есть проблема при малой разнице значений (потребление от аккума при наличии DCDC), например когда DCDC 4.5В и BAT 4.2В. DCDC выше 4.5В поднимать нельзя, на выходе надо получить не более ~4.2В. LTC4413 и компания не подходит по стоимости. Чтобы при малой разнице DCDC и BAT диод паразитный не начинал проводить и таким образом потреблять от аккума при наличии DCDC.
  9. Добавил триггер Шмитта для явного переключения полевика при появлении 5V_DCDC. Вроде все проблемы решились. Во вложении модель, может я чего недоглядел, посмотрите пожалуйста, заранее благодарю. circuit3.zip
  10. Это microcap? Сбросьте пожалуйста модель, поэкспериментирую еще.
  11. Да, и еще. VT1 включен по схеме эмитерного повторителя, без VT1/R1 (затворы полевиков напрямую к аноду диода D1) выходит вроде как то же самое. Или нет? В этой схеме ситуация такова, что +4.2V_DCDC не может быть ниже 4В. Или больше 4В, или вообще нет. А +4.2V_BATTERY - от 3.2В до 4.2В.
  12. Вот схема с учетом утечки диода. Также теперь +4.2V_DCDC имеет явный приоритет над +4.2V_BATTERY. Нет "соревнования" когда напряжения +4.2V_DCDC и +4.2V_BATTERY равны.
  13. А завершить уже взятое? И для чего пропадать и не отвечать ни на скайп, ни в вк, ни на телефон?
  14. Как выяснилось, трехквадрантный триак не отменяет снаббера. Уменьшает вероятность ложного отпирания от помехи, но не исключает.
  15. Порекомендуйте пожалуйста, какая из трех схем наиболее надежная с точки зрения исключения ложных открываний симистора. Мощность нагрузки предполагается до 1КВт. Характер нагрузки заранее неопределен. Вариант 1. Типичная схема из даташита zerro-cross оптосимистора MOC3041 Вариант 2. Схема из даташита MOC3052 (не zerro-cross) для "экстремально шумной сети" Вариант 3. Схема отсюда http://www.hoelscher-hi.de/hendrik/english/dimmer.htm
  16. Гениально и просто. Прямо решение по ТРИЗ - недостаток системы (нагрев) повернем на решение технических проблем системы.
  17. Тоже думал о силикагеле, вложить силикагеля в систему от капельницы. Но силикагель со временем насытится влагой и перестанет осушать.
  18. Посоветуйте, пожалуйста. Есть датчик CO2, но он работает при влажности до 90%, а в реальных условиях эксплуатации влажность в основном будет 95-97%. Воздух на датчик подается периодической прокачкой мини-насосом, по силиконовым трубкам. Как можно минимальными затратами осушить воздух, поступающий к датчику?
  19. assemblа.com, бесплатно на 3 проекта. Там же, кроме svn, можно еще и багтреккинг наладить. git для начала не рекомендую, у него порог вхождения выше. Преимущество git проявляется при коллективной работе и частом слиянии веток. Еще git хранит все срезы версий локально, потому можно будет откатиться на любую версию без обращений к серверу (например, когда нет интернета). На этом для меня преимущества git заканчиваются и начинается кошмар с кучей ключей и неоднозначностей, несмотря на то, что его автором является великий Линус Торвальдс. svn, в отличии от git, простой и наглядный. И 100% достаточен, если у вас не коллектив из 30-ти разработчиков, ведущих с десяток параллельных веток проекта (актуально для софтвера). Ну и для работы с svn конечно TortoiseSVN, всякие встроенные в среду разработки клиенты - от лукавого.
  20. Нужно, для плавного регулирования на малых уровнях яркости.
  21. Скиньте пожалуйста файл stm8regs.h, что-то приведенный код на базе STM8S_StdPeriph_Driver не работает, подозреваю, там в stm8s.h может быть ошибка в описаниях регистров.
  22. Спасибо, хороший вариант, и в SO-8. Но пока опробую IRFH3702, у него емкость и заряд затвора в ~2 раза ниже, по идее меньше греться будет при ШИМе. Тоже отличная штука, 4А на выходе прокачает высокочастотный ШИМ, а еще сразу два канала в одном корпусе. А надо ли защитный стабилитрон на затворе в случае применения драйвера?