Jump to content

    

Bulaev

Участник
  • Content Count

    87
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Bulaev


  1. Тогда, в Вашем случае, придется относится к устойству как к «черному ящику», и писать тесты на ATE пользуясь лишь поведенческой моделью. Для ПЛИС можно было бы сгенерировать тесты из САПР, память сравнивать с прошивкой. Но и тогда это не будет 100 % тестовым покрытием, т.к. не будет перебора всех возможных комбинаций. Сконцентрируйтесь на измерении электрических параметров, измерьте ток потребления в различных режимах работы, сравните полученные значения по партии Ваших устройств.
  2. Под заказ работают. Цены средние, в основном, зависят от количества выводов. У золотой площадки меньше контактное сопротивление + она меньше подвержена окислению + ровнее, чем лужённая. Эластомер - не супер в плане температур и ресурса. Также могут быть проблемы с избыточной емкостью между выводами. В идеале - золоченая площадка с покрытием, к примеру, из алмазной крошки.
  3. ООО «Тест-контакт». Но вообще, если мало выводов, рекомендую прижимать к золоченым площадкам печатной платы.
  4. В таком случае выпускается протокол разрешения применения. Только причём тут сертификационных испытания?
  5. По опыту могу сказать, что 5 градусов мало на что повлияют. Более того, в требованиях очень часто эти 5 градусов укладываются в допустимую погрешность задания режима.
  6. Мы в нашем испытательном центре постоянно проводим испытания на безотказность и сохраняемость микросхем. Что конкретно Вас интересует? Механизмы деградации? Они известны. Пробой подзатворного диэлектрика, смещение пороговых уровней, электромиграция. Со временем изменяются параметры как самих транзисторов, так и межсоединений.
  7. Посчитайте, не превышен ли пусковой ток - должен быть приведен в ТУ. При такой скорости нарастания он у Вас порядка 10 мА. Протрите корпус растворителем - может оказаться перемаркировка.
  8. А максимально допустимая скорость нарастания напряжения питания соблюдается?
  9. Ну хорошо, тысячу рублей работа стоит? И сколько Вы хотите в итоге сэкономить? 1-2 тыс.?
  10. А Вам проект платы нужен, изготовленная или смонтированная? Просто производство самой платы примерно пять рублей. Плюс разработка - ну 3 рубля минимум. Вот и Ваши 130 баксов.
  11. Я не очень понял - нужно плату переделать, заменив посадочное место под микросхему посадочным под сокет?
  12. Москва, ул. Авиамоторная, д. 53 к. 1 (м. Авиамоторная) http://www.spacecorp.ru/contacts/
  13. Предлагаю работу в Научном центре Сертификации элементов и оборудования АО "Российские космические системы". Тестируем микросхемы и полупроводниковые приборы: разрабатываем испытательное и измерительное оборудование, печатные платы, измерительные программы, методики испытаний. Работа интересная, коллектив молодой, неплохое финансирование, современное оборудование, возможность участия в российских и иностранных конференциях, широкие возможности для научной деятельности. Основные требования к кандидатам: - образование, связанное с радиоэлектроникой (если Вы студент - всё обсуждаемо); - опыт работы с цифровыми и аналоговыми электронными компонентами; - знание схемотехники (главное - понимание её основ); - знание основ программирования (Pascal, C++); - базовое знание английского языка; - желательно знание САПР печатных плат. Заработная плата - по результатам работы. Как правило, у нас получают не ниже 60 тыс. руб. Координаты для связи: (926) 177-91-41 bulaev.ivan@gmail.com Иван
  14. А какие параметры должны быть у этих "коротких импульсов"? Может просто пропустить через конденсатор коммутируемое напряжение, как через ФВЧ?
  15. А, ну тут-то какраз всё понятно. Схемы (и микросхемы) делают или по КМОП, или по биполярной технологии. Из разных соображений: что было под рукой, что больше нравится, что дешевле, что быстрее, что более стойко к различным воздействующим факторам, в том числе, к радиации и т.д. Вот Вам уже две схемы. На двух n-канальных транзисторах - это или в источниках, или в схемах управления мощными транзисторами применяют, где большие токи нужно получить. Вот третья схема. Ну, а одна схема действительно просто с ошибкой нарисована.
  16. Если говорить о паре на МОП-транзисторах, то на таких парах (инверторах) и некоторых других базовых элементах строятся современные микросхемы. Такая пара - типичные входной и выходной каскады микросхемы. Их основное назначение - усиление по току, преобразование по напряжению и фильтрация помех. Одно из главных преимуществ - низкое потребление тока за счет того, что в любом статическом состоянии, когда на входе такой пары логические 0 или 1, один из транзисторов всегда закрыт и сопротивление между питанием и землей очень велико. Потребление тока происходит только в момент переключения из одного состояния в другое. В паре используются транзисторы с разными типами проводимости. Нижний n-канальный транзистор открывается, когда разность потенциалов между затвором и истоком, подключенного к земле, превышает некое пороговое значение (порядка 0,8 В). Верхний p-канальный транзистор, наоборот, открывается когда разность потенциалов между затвором и истоком, подключенным к питанию, ниже порогового значения (порядка -1,5 В). Получается, когда на входе напряжение близко к питанию, открывается нижний транзистор и подключает выход к земле, при напряжении на входе близком к нулю, верхний транзистор подключает выход к питанию.
  17. Я имею в виду, какие напряжения он коммутирует? К ним можно подключаться гальванически? И какие рабочие напряжения у реле (если это реле)?