sp1noza

Если это КМОП техпроцесс, то на Микроне есть 180 нм и более продвинутая 90 нм (уже с медной металлизацией). Но вы должны быть готовы, что по последнему техпроцессу ценник будет сейчас запредельный (тк санкции и все такое), особенно если будете в одиночку заказывать полный набор масок. Пишите в личку, если интересует более подробная информация.

Если у вас сигнал типа OFDM или другой сложноманипулированный с большим значением PAPR, то стоит смотреть в сторону других усилителей, которые для этого предназначены. Например, усилители Догерти, с модуляцией питания (Envolope tracking) и т.п. Qorvo усилители наверно больше предназначены для синусоидальных сигналов (импульсы, ЛЧМ и т.п.)

Речь видимо о SiGe процессе? Пластины возили в IHP, для добавления этого самого германия и получения биполярных транзисторов. После 2014 эта практика прекратилась, в итоге в россии SiGe фактически отсутствует. Насколько я сейчас знаю, то 180 нм и 90 нм стандартный КМОП на объемном кремнии в Микроне есть, библиотеку 90 нм даже щупали, делали запуски. Аналоговые схемы относительно хорошо совпали, PDK было неплохое, было даже удивительно, прям гордость взяла даже за отечество)) Но вот только делали конечно долго, порядка 2 лет. Но с другой стороны как пишет baumanets, нировские пластины откладывали ради запусков с большими объемами. Но и завод тоже можно понять, зачем ему возится с условными тремя пластинами в год, когда ему нужно думать как загрузить производство нон-стоп и делать условную тысячу пластину в месяц. Также сроки затянулись из-за санкций на химию, меняли поставщиков и т.п. Сейчас как вроде дефицит подложек наблюдается, тот же самый SOI будут полгода (или больше везти), если еще продадут конечно.

Можно рассмотреть еще SiGe процессы, на биполярных транзисторах можно реализовать полосу свыше 20 ГГц на технологии 0.25 мкм BiCMOS. На 0.13 мкм BiCMOS свыше 50 ГГц попадались презентации. Использование КМОП принципиальное, т.е. будет реализовываться какая-то логика, управление, память? Если нет, то можно смотреть и в сторону A3B5 процессов.

Из Томска, ТУСУР

Есть опыт прототипирования фотонных чипов (приемник до 20 ггц, модулятор, резонатор) на базе SiGe технологии IHP. У них есть интересная технология совмещения электроники и фотоники на одном чипе. Топологию рисовали в Cadence, Luceda, что-то простое рисовали даже в Klayout. Считали, моделировали в Lumerical. Довольно сложные (для нас) оказались вопросы зондовых измерений, как непосредственно ввести излучение на чип. Требуются очень точные позиционеры, контроль поляризации, угла ввода и т.п. Ну и добиться хорошей повторяемости этих измерений довольно сложно.

Методов довольно много, я бы рекомендовал посмотреть в книжку "Stability analysis of nonlinear microwave circuits", Raymond Quere. Но обычно стараются эту нестабильность устранить, введя какие-нибудь цепи с потерями, а не замоделировать. Моделировать неустойчивость, это задача для университетов, т.к. разобраться что там и как, это очень много времени надо. Я лично использовал метод closed-loop (лет 8 назад), для усилителя мощности со сложением мощности от нескольких выходных транзисторов. Но там необходимо было иметь доступ к внутреннему источнику тока транзистора, т.е. к модели. Приложил статью о методе без использования модели. Так или иначе, почти всегда все сводится к построению некой передаточной функции и анализе ее карты нулей и полюсов (для разной входной мощности). Попробуйте запросить демо-версию программы STAN. 1610.03235.pdf

про 90 нм Микрона так и не понял - уже можно что-то делать или процесс нестабильный? Можно ли использовать для СВЧ диапазона - верны ли модели?

Europractice все еще работает, через них и делаем. Технологии 0.25 мкм и 0.13 мкм используем, например.

Самый универсальный теоретический метод это построение карты нулей и полюсов отклика цепи в любой точке усилителя. Я себе это представляю так (сам я этого не делал) - берем малый сигнал возмущения, ставим его в любую точку усилителя где нас интересует вопрос стабильности, находим отклик. Затем по полученному отклику находим нули и полюса (самый сложный момент) и анализируем полученное. Что в принципе и реализовано в некоторых программах (не реклама): https://www.maurymw.com/pdf/datasheets/5A-054.pdf

Если интересует что происходит между каскадами, то можно воспользоваться элементом Gamma Probe https://awrcorp.com/download/faq/english/do...t_stab_analysis

Почему устойчивость смущает? S-параметры есть, смотрите коэффициент устойчивости. Так то любая согласующая цепь это многорезонансная структура. Проблемы могут быть следующие - выходная цепь увеличится, возрастут потери. По входу тоже надо будет городить двухполосную СЦ. Вот еще один пример: http://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file..._amplifiers.pdf

Ну это да, не спорю, скорее всего у ТС транзисторы GaAs, согласовать будет посложнее. Вбить GaN я советовал потому что сейчас именно статей по двухполосным усилителям мощности больше всего именно на GaN. Тут наверно имеется ввиду "или файл s2p"? Самое лучшее это конечно взять нелинейную модель, использовать load pull моделирование, чтобы определить оптимальные импедансы для выходной мощности (ну или допустим вы уже знаете оптимальные импедансы, тогда не надо load pull), а потом проектируете СЦ. Метод Professor'a наверно единственный предложенный по существу проблемы, только объединять надо все-таки надо последовательно, а потом подстраивать номиналы элементов, шлейфы добавлять. По крайней мере не понял как их делать параллельно, только если через переключатель? Но на какую нагрузку будет работать усилитель во время переключения и что с ним будет?

Насколько я знаю двухдиапазонные или двухполосные усилители уже довольно давно применяются в передатчиках, например, в базовых станциях. Посчитать двухполосную согласующую цепь сложно, но возможно. Т.е. это будет именно СЦ с двумя горбами. Причем на каждой центральной частоте можно добиться оптимального согласования по мощности и кпд, между полосами стараются сделать, чтобы не было усиления. Примеры подобных работ можно загуглить по запросу "dual band power amplier" (ну можно еще добавить GaN). Хорошие статьи пишут итальянцы, например, Paolo Colantonio (http://ieeexplore.ieee.org/document/6176279/). Вот еще примеры работ: https://uwspace.uwaterloo.ca/bitstream/hand....pdf?sequence=1 (целая диссертация) https://ai2-s2-pdfs.s3.amazonaws.com/0626/d...be1c5f0b6de.pdf Пишут даже наши соотечественники: http://ieeexplore.ieee.org/document/6269905/ https://elibrary.ru/item.asp?id=23035378 Поэтому вердикт - может получится, примеров полно, зависит все от вас, от наличия хорошей модели транзистора. Сейчас уже triple band хотят проектировать (или уже сделали).

Физический смысл этого параметра можно объяснить так - например, есть усилитель, который выдает мощность Рвых=1 Вт. При этом он потребляет мощность тоже Pdc= 1 Вт. Таким образом, его кпд по стандартной формуле равно 100% (кпд=Рвых/Pdc*100%). Но если при этом у него на входе Рвх = 1 Вт, то смысл этого усилителя теряется, потому что усиление равно 1. Поэтому есть смысл рассматривать кпд усилителя именно по добавленной мощности, т.е. включать в расчет еще и коэффициент усиления, PAE = (Рвых-Рвх)/Pdc*100%. Чем больше коэффициент усиления, тем больше PAE стремится к кпд. Соответственно, когда усиление падает, PAE тоже падает.

Nfmin это минимально достижимый коэффициент шума транзистора в данном включении, один из четырех шумовых параметров. Обычно он еще указан в snp файлах от производителя. Скорректировать неравномерность можно при помощи обратной связи, корректирующей цепочки на выходе или межкаскадной СЦ. Кстати, что все-таки показывает nf(1) в ADS?

Откройтк пример в AWR Load Pull Wizard (есть и другие примеры). Сначала можно при помощи тюнеров импенадсов установить режим комплексно-сопряженного согласования, посчитать выходную мощность. Затем при фиксированной входной мощности нужно проводить load pull. Делается это при помощи Wizarda. Снчала на первой гармонике, потом на второй, третьей. Лучше книжку почитать перед этим. Например, Colantonio "Solid state high power amplifiers"

Да, как правило они идут внутри Snp файла. Скайте S-параметры малошумящего транзистора, например, фирмы NEC. Там снизу будут шумовые параметры, пропишите свои S-парметры и шумы, и все заработает. Если нужно экспортировать из MWO, то нужно тыкнуть галочку при экспорте S-параметров, что-то там про Noise (include или add). Векторник наверно может их сохранять в отдельный файл, либо в файл S-параметров.

Здравствуйте, коллеги! При разработке СВЧ микросхемы на кремнии возник вопрос о так называемом антенна-эффекте или plasma induced gate oxide damage, т.е. нельзя оставлять большой полигон прикрепленным к затворам транзистора, т.к. существует вероятность его повреждения. Существует два способа его решения - делать переход вверх на более верхний уровень металлизации, а потом назад, или использовать специальный диод. Разводка на чипе сделана преимущественно в самом верхнем слое, так как меньше потери на СВЧ, также в верхнем слое сделаны контактные площадки, которые тоже вносят вклад в этот эффект. DRC ругается на это дело. Собственно вопрос - так ли критичен этот эффект на СВЧ? Насколько он может повлиять - например, отношение площади металла к площади затворов 1000 - одна вероятность, 10000 - намного больше, или нарушение DRC приведет к 100% браку? Если ставить диоды, то появляется вопрос - какой величины его делать (стандартный диод размером 0.78*078 нм, а в том месте планируется сигнал около 15 дБм)? В общем, после А3В5 интегральных схем как-то больно все запутано...

Load pull должны находится в разделе wizards. Называться должны AWR Load Pull Wizard. Запускаете и моделируете. Еще есть куча информации в example и на сайте AWR в knowledge centre.

Кто-нибудь имел дело с такой штукой? http://www.rastr-radio.ru/index.php?option...8&Itemid=22 Есть там что-нибудь наше? Или все чипы импортные?

Знаем, преобразователи частоты у них вроде есть на этот диапазон. Но вот с транзисторами и усилителями мощности на 27 ГГц пока не густо. Возможно я ошибаюсь, но на сайте не нашел.

Здравствуйте, коллеги! Собственно сам вопрос в заголовке. Интересует существование (наличие) именно отечественных твердотельных (гибридных, монолитных) усилителей (а также смесителей) Ка-диапазона (27 ГГц) - производители, характеристики, контакты. Может быть транзисторы есть, или разработка на зарубежных фабриках? Заранее спасибо.

Понятно. А те кто его покупал в нем разбирались? Или просто так купили? (мне просто интересно зачем тратить такие огромные деньжищи просто так...) Вообще говоря, странно что у вас не вычисляется это сопротивление. Надо искать ошибку, тут уж Вы как нибудь сами. Прочитайте статью, проверьте уравнения и т.п. Вы испытания проводите с реальным транзистором? в смысле измеряете его или на мат.модели какой-то? Если не получается этой методикой всегда есть куча других. Пишем в гугле "determintaion of source resistance for microwave fet" вот первые ссылки: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?t...%3D932242\ http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?t...number%3D372093

Хотя бы эта http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?t...arnumber%3D3650 Считается одной из основных статей по определению паразитных элементов полевого СВЧ транзистора. А можно поинтересоваться - откуда у вас IC-CAP? Если ваша организация его покупала, то, наверно, Agilent организовывала какие-то курсы?