Jump to content

    

SAVC

Участник
  • Content Count

    356
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by SAVC


  1. Предлагаю вашему вниманию идею схемы управления мощным высоковольтным высокачастотным транзистором, которая держит его на границе насыщения, что обеспечивает быстрое закрытие, сравнимое со скоростью работы аналогичного полевого транзистора. circuit4-switching-LM318-BC807.cir BUL45D2-D.PDF биполярный транзистор с антинасыщением FJL6920-D.pdf мощный высоковольтный биполярный транзистор, 10A при 0.3V AD817.pdf дофига высокоскоростной операционник 350V/us isl28190-290-1528863.pdf 50V/us PBSS4021NZ.pdf Low V_ce(sat) bipolar transistor 20V 8A NPN NSS12201L-D.PDF 12V 4A NPN 2SC3307.pdf 2SA1329.pdf применённые в модели транзисторы NC7SB3257.pdf мультиплексор http://savvc.000webhostapp.com/nsbt/ страница поддержки проекта здесь я буду дальше вести тему, можно будет скачать все материалы
  2. Есть ещё две-три схемы, построенные по тому же принципу. circuit8.CIR AT-AUTO-5.CIR ВЧ-ТП6-10-5.CIR
  3. Когда-то в далёком 2006 году сделал такую схему: Здесь правда, вместо PMOS стоят два NMOS, но схему это ничуть не портит.. Всё работало..
  4. Ну, например, четыре таких транзистора, вместо IKW40N120. Или лучше APT40GP90, IGBT на сравнимое напряжение - 900В.
  5. Дело в том, что речь идёт об уменьшении, а не об увеличении статических потерь. Если для IGBT падение напряжения составляет 2-3В, то для BJT в моей схеме это 0,3-0,5В
  6. Но, вы же не будете отрицать того, что выведение транзистора из насыщения, даже частичное, уменьшает заряд в базе?
  7. У меня он в активной области всё время работы схемы.
  8. thickman, скажите, мой недонасыщенный транзистор и ваш вывод транзистора в активную область перед выключением, это случайно не одно и тоже?
  9. Спасибо, Plain. vladec, если вы внимательно посмотрите, то увидите, что у меня другая топология.
  10. Этот незащищённый источник напряжения почему-то устойчив к короткому замыканию.
  11. Нет, конечно, я хочу разобраться, как схема работает. Я так понимаю, если бы преобразователь был резонансным, ток в контуре был бы синусоидальным.
  12. Нужно сказать, что, для выходной мощности в 480Вт, суммарные потери на ключах составляют 2,5Вт.
  13. Я не понимаю, как работает схема. Результат получил чисто случайно. Вот, решил выложить, может быть, кому-нибудь пригодится.
  14. thickman, здорово. А можете показать сигнал управления на графике тока?
  15. Ну, что тут скажешь. ОК, я не прав. Я не вывожу транзистор на границу насыщения, я только слегка вывожу его из насыщения. Но, поверьте, это уже много.
  16. Имеется вот такой макет, который, вроде бы, работает.
  17. Не, диод - не лучшее решение. Схемы с диодом для высоковольтных транзисторов - это соревнование двух pn-переходов. Какой победит. Не надёжно. У более сложных схем, например, как моя, есть свои недостатки, которые, впрочем, можно победить. Зато, стабилизация напряжения в открытом состоянии происходит всегда на заданном уровне.