Jump to content

    

smile

Свой
  • Content Count

    380
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by smile


  1. https://www.macom.com/products/product-detail/MA4E1310
  2. Than you know that you overpaid for your VNA :)
  3. What??? Buy this one http://www.ommic.com/produits/w2183g-65 or ask them, they will design after your specs.
  4. ring down

    Make sure your diodes can handle this voltage.
  5. Цитата(Hale @ Feb 8 2018, 10:44) ... Иначе потери будут больше запрошенных... + amplifier
  6. Is it me, or your amplifier is potentially unstable around 3GHz?
  7. Цитата(APEHDATOP @ Jan 11 2017, 14:41) Возможно ли согласовать транзистор NE3210 Add resistor(s) in series (or in parallel) to output (input, or both) of the transistor and I am sure you'll be able to match. Everything is possible. It is always a question of a trade-off. Theoretically speaking, simultaneous power matching at the input and at the output exists ONLY IF THE TRANSISTOR IS STABLE. Here is the book about this, read Chapter 3: rftoolbox.dtu.dk
  8. Цитата(dabbler @ Nov 18 2016, 18:15) Господа, может кто-то посоветовать технологичную конструкцию волноводного перехода с моды Н10 прямоугольного волновода на моду Н01 круглого. This one is quite broadband:http://ieeexplore.ieee.org/document/419866...98665&tag=1
  9. Цитата(sergei94 @ May 25 2016, 23:10) Когда я экспортирую из CST результаты симуляции parametric sweep в текстовый файл, то почему-то в файл попадает только часть значений. 1. Click on the graph (just to make it active). 2. Press Home/Copy (or just press Ctrl+C) 3. Paste in the text file. All the data will be there.
  10. фазовращатель

    Цитата(sergey sva @ May 31 2016, 10:09) Можно аналог этой схемы собрать на дискретных элементах? Что можно сказать по характеристикам этой микросхемы?, шум и тд. It's quite broadband, but the noise figure is high and and linearity is poor. This indicates that the phase shifter is based on active devices (transistors). It should be possible to make it on discrete components. Цитата(sergey sva @ May 31 2016, 10:09) если этот фазовращатель применить для фазовой модуляции будут работать? Theoretically - yes, but there is no information on switching speed in the datasheet. That would be the limit of your data rate.
  11. I would agree with soldat_shveyk, digital systems you would characterize by BER (bit error rate) instead of noise figure.
  12. Цитата(khach @ Feb 20 2016, 16:16) Рискну пердложить когда-то виденный вариант быстрого соединения. Круглые фланцы типа UG-387 с совместимыми штырями. Indeed, for circular waveguides you can get flanges without a single screw. Look at this transition for example: Can tell you from personal experience, they work perfectly, at least up to 300 GHz.
  13. Цитата(VCO @ Nov 17 2015, 16:04) Там запущена установка на забывание русского языка No. I just don't want putin's troops in my country to "protect" me because I am russian, like it is in Crimea.
  14. Цитата(HFSS @ Nov 17 2015, 15:31) VitaliyZ, зачем дублируете? I was writing the same time as you. I did not see your post. As simple as that. Цитата(HFSS @ Nov 17 2015, 15:31) и да, ещё, пишите на русском языке. Do you have hard time understanding my posts?
  15. Цитата(Xuch @ Nov 17 2015, 10:34) ... А дальше возник вопрос что делать с точками VPC1, VPC2 и VPC3... For your evaluation board it says "VCC=V+=VPC=5.0V". So, connect VPC1, VPC2, and VPC3 to VCC (remember filtering parallel capacitors) Цитата(Xuch @ Nov 17 2015, 10:34) .... при мощности на входе 15dbm ...! That is too much. Your Amp gain is 37dB while P1dB= 33.5dBm. Цитата(Xuch @ Nov 17 2015, 10:34) ...колокол... What is that?
  16. Цитата(Hitokiri @ Jan 20 2012, 18:03) ... у вас лицо заинтересованное :-) ... I am not married to Rogers, but very happy with theirs laminates.
  17. Цитата(Stefan1 @ Nov 5 2015, 20:10) Добрый день. Для составления нелинейной модели мощного СВЧ LDMOS транзистора требуются ввести зависимости емкостей кристалла транзистора от рабочих напряжений. Подскажите пожалуйста, как будет качественно выглядеть зависимость проходной емкости в зависимости от напряжения затвор-сток для данного транзистора (измерить транзистор в открытом состоянии с приемлемой точностью пока не получается)? Интересует участок в районе порогового напряжения и немного за ним. В литературе также нигде не могу найти... Hi, do you mean gate-drain capacitance? Look at Fig. 5.5 in this thesis.
  18. Цитата(ledum @ Oct 2 2015, 07:51) ... И Вы и Виталий в своей аргументации считаете децибелламми. Если Вам не нравятся логарифмические величины - пожалуйста... You are wrong! I do like decibels, and in your picture |S21|= -0.17dB > |S12|=-22.11dB. The same will be in linear scale, so it has nothing to do with decibels! Цитата(ledum @ Oct 2 2015, 07:51) ...не осталось адекватных зарплат в нашей области... Also wrong. A man with skills can always find a job with decent salary. Sharpen your skills instead of blaming the others. ;-)
  19. Цитата(ledum @ Sep 25 2015, 14:10) Нет, я как раз имел ввиду что S12 по модулю должно быть больше S21 по модулю и намного. I would agree with freeport, this makes no sense! Can you show me an isolator with |S21|<|S12|?
  20. Цитата(ledum @ Sep 24 2015, 14:17) Желательно усилок, у которого S12 больше S21 хотя бы на 6-7дБ на 4-5ГГц ... Maybe you right about isolators, but his statement I don't get. Do you mean |S21|>|S12| ? If we look at the mentioned MGA-565P8 at 5GHz |S21|=13dB while |S12|=-46.4dB which gives |S21|-|S12|=59.4dB, which is more or less typical number for amplifiers. The flatness of the characteristic is of course a different story, but it should be possible to find an amp with a good flatness in the range.
  21. Цитата(Massi @ Sep 20 2015, 12:15) есть генератор...мощность 100 мВт...он может перестраиваться от 4 д 5 ГГц...и есть смеситель который стоит после коробочки...хочу отвязать генератор...ткните носом... Use a buffer amplifier between the oscillator and mixer! Amplifiers behave a lot like isolators, they let the signal to pass only in one direction. (just make sure the Amp can handle 100mW)
  22. Load pull and source pull simulation

    Цитата(Stepan N P @ Sep 24 2015, 06:42) PA design (using AWR) ADS has a template for that
  23. Вопрос по ADS

    Цитата(Ilya10 @ Sep 2 2015, 16:17) ... сквозное отверстие и через него сигнал переходит на другой слой. На месте этого отверстия расположен пин,через который сигнал должен проходить от слоя к слою,но этого не происходит.. I don't really get that. "пин" you mean a via hole or a port? Sounds like there might be a problem with your model, or you simply forgot to include 0Hz point in MoM simulations. Also remember to define your via holes as via layer in the substrate definition. Built-in 3D viewer can help to debug your 3D model. Look at at your model in 3D and make sure that your vias look right and ports are defined between correct layers.
  24. Цитата(sergey sva @ Aug 11 2015, 18:20) Существуют микросхемы для радаров например генератор приемник измеритель? Понимаю что мощности там большие но формирователи наверно не больше 10мвт после уже усиливаются ? Дайте хорошую ссылку где прочитать плз. Not really a reference, but a nice overview: http://mwrf.com/blog/5-new-things-do-single-chip-radar
  25. Цитата(Sokrat @ Jun 22 2015, 08:18) Интересный вариант ФВЧ. А есть методика его расчёта? It's simple, just google "evanescent mode waveguide"