Jump to content

    

Ascold

Участник
  • Content Count

    7
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Ascold


  1. Решил поизучать радиоприём и передачу. Детекторный приёмник уже делал, а дальше сложнее. Вот здесь https://sekret-mastera.ru/elektronika/ratsiya-nachinayushhego-radiolyubitelya-na-50-mgts.html рассматривается прибор со сверхрегенерацией. Про сверхрегенерацию решил почитать Белкина https://bookree.org/reader?file=532195&pg=9 . У Белкина непонятны некоторые моменты - например, как он выводит затухание https://bookree.org/reader?file=532195&pg=10 (1.4) и что означает фраза "относя E к Uк"? Когда я подставляю (1.2) и (1.3) в (1.1), то получаю E=jw(C_0*R_0-MS)Uк, как отсюда сделать шаг к (1.4), не врублюсь, как отсюда раздобыть мощности в контуре и потери за полпериода? Кстати, (1.1) подразумевает, что в контуре "настоящий" резонанс напряжений - напряжения на катушке и конденсаторе в противофазе. Всегда ли в сверхрегенативных приёмниках такое допущение верно, ведь для этого требуется предположить, что входное сопротивление транзистора велико по ср. с реактивным сопротивлением конденсатора, а это в свою очередь требует малого коллекторного тока, поскольку (хотя бы согласно модели Эберса-Молла) сопротивление эмиттерной части обратно пропорционально этому току?
  2. Я думаю, пока следует редуцировать задачу до более простой. Пусть я хочу построить генератор 446 МГц с передающей четвертьволновой антенной и приёмник(антенну плюс усилитель), без модуляции и фильтров. Как сделать генератор и усилитель, представление имею. Что читать про согласование импедансов антенн с входами-выходами приёмника и передатчика? А то книжки-то хороши, но ответа на именно этот вопрос я в них не нашёл.
  3. Итак, я поизучал книжки, вывел вслед за авторами формулы излучения диполя, осознал, что такое ближняя и волновая зона, диаграмма направленности. Но там ещё очень много всякой "аналитики" впереди и меня она настораживает тем, что непонятно, как переходить к практике, возможно, мне на самом деле нужны книги не по теории антенн, а по другим вопросам. К примеру, возьму я простейший четвертьволновой штырь и попробую соорудить вот такую "любительскую рацию" https://freestyle007.livejournal.com/3750.html Где почитать обоснованные рассуждения и(или) расчёты про то, почему подключение антенны на рис.1 по ссылке такое сложное - с кучей дросселей? Какие книги и в какой последовательности читать, чтобы научиться проектировать(или хотя бы полностью понимать существующие) УКВ приёмники и передатчики? Понятно, что литературы в сети полно, но меня интересует, чтоб шаг за шагом, от простого к сложному и со всеми промежуточными обоснованиями, кроме совсем очевидных.
  4. Захотел изучить антенны УКВ и спроектировать нечто несложное, но приёмо-передающее в хорошем качестве. Столкнулся при этом с трудностями - литература по антеннам какая-то уж очень "неоднородная": есть книжки типа Ротхаммеля, где подробно описывается, как делать антенны, но почти без обоснований и физических выкладок, есть солидные книги, начинающие с теории относительности(Неганов и др.), электродинамических методов аналитических и численных расчётов по распространению радиоволн, где до собственно антенн доходят лишь на 500-х страницах, есть в сети методички электротехов, в которых при рассуждениях об антеннах вводятся странные понятия типа электрического и при этом векторного(?) потенциала. Что лучше почитать, чтобы детально разобраться с теорией и тонкостями построения несложной УКВ-антенны и фидера для неё? Уравнения Максвелла, мат. анализ и векторный анализ знаю. Хочу понять теоретические моменты, но так, чтобы они были привязаны к практике. Например, как сделать антенну для радиуправления игрушкой(там, вроде, десятки МГц диапазон, а антенны не такие уж и громадные, явно не четвертьволновой длины). Как сделать узконаправленную антенну? Или - если это рация, то читал, что учитывать нужно ещё и тушку того, кто её держит. Спрашиваю про антенны, а не про приём-передачу вообще, т.к. в транзисторной схемотехнике немного разбираюсь(на уровне 2 главы Хоровица), а вот с антеннами непонятно ничего.
  5. Не могу найти, как с этим бороться: в PCB после проведения соед. линии на слое Top или Bottom электрическая связь(тонкая синяя линия) должна исчезнуть, а она не исчезает. С сетками всё в порядке, выводы компонентов точно в узлах стоят. Трассировка ручная. В книжках не нашёл ответа на этот вопрос. Простейшую плату с этой проблемой прилагаю. 1.pcb
  6. Так это я знаю. Вопрос состоит в том, что не понимаю, какая причина главная в процессе перехода транзистора в насыщение - то ли то, что электронов, инжектированных в базу(n-p-n) стало так много, что весомая их часть стала, саморасталкиваясь, недобегать до коллектора и, рекомбинируя, уходить базовым током, то ли что из-за понижения потенциала коллектора он стал их хуже "сосать", отправляя(диффузией) часть назад, то ли что из-за того, что понижение потенциала коллектора "утолщает" базу(эффект Эрли наоборот) ?
  7. В книге Епифанов Г.И., Мома Ю.А. "Твердотельная электроника" М., 1986, скачать можно, например, здесь http://www.ph4s.ru/book_ph_tvtelo.html не ясны следующие два вопроса(транзистор для определённости будем считать n-p-p): 1. Про большие токи эмиттера авторы на стр. 261-262 пишут Цитата: К инжектированным неосновным носителям подтягиваются по цепи базы основные носители для компенсации инжектированного объёмного заряда. При больших токах эмиттера в базу инжектируется настолько много неосновных носителей(электронов), что концентрация основных носителей у эмиттера заметно повышается. Это приводит к росту инжекции основных носителей из базы в эмиттер, т.е. к уменьшению эффективности эмиттера. Запутался в "основных" и "неосновных" - имеется ввиду, что электроны, попавшие в p-базу, заряжают её отрицательно и тем притягивают дырки, имеющиеся в базе, а также затащенные из провода базовой цепи в сторону эмиттера и они включаются в эмиттерный ток или что-то другое? 2.Режим насыщения. На стр. 262 написано, что в этом режиме коллекторный p-n-переход смещён прямо, но поле, втягивающее в коллектор электроны, инжектированные эмиттером, всё-таки ещё есть(?). Из этого можно сделать вывод о том, что потенциал коллектора выше потенциала базы(n-p-n). С другой стороны, Если транзистор кремниевый, то в насыщении не меньше 0,6-0,7В, а может составлять всего около 0,2В(доводилось в этом убеждаться при работе с транзистором КТ503Г), что намекает на превышение потенциала базы над коллектором. Что утаили авторы книжки? Далее они пишут: "теперь из коллектора через низкий барьер p-n-перехода идёт встречный ток носителей"(не сказано, каких именно). Если это электроны, ведь дырок в n-коллекторе мало, и предположить, что , то этот ток диффузионный, неужели он существенен на фоне дрейфового тока электронов через коллекторный переход, пришедших от эмиттера? Так что всё-таки причина перехода транзистора в режим насыщения: а)встречный диффузионный поток коллекторных электронов через пониженный барьер в базу(или вообще без барьера, ведь если В, В, В); б) то обстоятельство, что коллекторный переход хуже всасывает инжектированные электроны за счёт пониженного потенциала коллектора; в)или же что электроны, в большом количестве инжектированные в базу, не успевают все продиффундировать в коллекторный переход, а притягивают дырки из базовой цепи и рекомбинируют с ними, не доходя до коллектора?