Stefan1 0 10 ноября, 2011 Опубликовано 10 ноября, 2011 (изменено) · Жалоба Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как можно рассчитать/измерить индуктивность истокового вывода в мощном СВЧ МОП транзисторе по схеме с общим истоком? Изменено 10 ноября, 2011 пользователем Stefan1 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MikeSchir 1 10 ноября, 2011 Опубликовано 10 ноября, 2011 · Жалоба Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Stefan1 0 10 ноября, 2011 Опубликовано 10 ноября, 2011 · Жалоба Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов. Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие: PH1214_12M.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MikeSchir 1 10 ноября, 2011 Опубликовано 10 ноября, 2011 · Жалоба Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие: PH1214_12M.pdf А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Stefan1 0 10 ноября, 2011 Опубликовано 10 ноября, 2011 · Жалоба А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения? Тогда надо знать всю эквивалентную схему по которой они считают этот импеданс и ее параметры. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться