Перейти к содержанию
    

Индуктивность истока МОП транзистора

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как можно рассчитать/измерить индуктивность истокового вывода в мощном СВЧ МОП транзисторе по схеме с общим истоком?

post-64187-1320916813_thumb.png

Изменено пользователем Stefan1

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов.

 

Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие:

PH1214_12M.pdf

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие:

PH1214_12M.pdf

А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения?

Тогда надо знать всю эквивалентную схему по которой они считают этот импеданс и ее параметры.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...