dinam 1 5 октября, 2011 Опубликовано 5 октября, 2011 · Жалоба Решил применить Si2351DS. Vishay заявляет, что транзистор может рассеять 2.1W. Но не приводит ни площадь полигона, ни его пример. Надо делать один полигон для стока? Или для истока тоже делать, такой же по площади полигон, или меньше? Может кто встречал рекомендации производителей? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
gte 6 5 октября, 2011 Опубликовано 5 октября, 2011 · Жалоба Решил применить Si2351DS. Vishay заявляет, что транзистор может рассеять 2.1W. Но не приводит ни площадь полигона, ни его пример. Надо делать один полигон для стока? Или для истока тоже делать, такой же по площади полигон, или меньше? Может кто встречал рекомендации производителей? Вероятно, это если тепрература с ноги будет полностью отводится, не превысит нормальной и в среднем, так как Maximum Junction-to-Foot (Drain) = 75 °C/W Т.е. теоретически. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dinam 1 5 октября, 2011 Опубликовано 5 октября, 2011 · Жалоба Ага понятно, эту строчку как-то невнимательно прочел. Получается делать полигон под истоком особого смысла нет. Спасибо! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
