Sokrat 4 16 июля, 2008 Опубликовано 16 июля, 2008 · Жалоба Собственно хотелось бы найти на этот отечественный полевик S-параметры, как это дают на вражеские транзисторы. А может кто-нибудь со Spice-моделью поможет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
grandrei 0 16 июля, 2008 Опубликовано 16 июля, 2008 · Жалоба Собственно хотелось бы найти на этот отечественный полевик S-параметры, как это дают на вражеские транзисторы. А может кто-нибудь со Spice-моделью поможет. Мне этот транзистор хорошо знаком (максимальная малосигнальная крутизна порядка 30 мА/В, емкость затвор-исток порядка 7 пФ, сток-исток - 5 пФ, затвор-сток - 0.3 пФ, последовательный резистор затвора порядка 50 Ом) как и 2П907, 2П911 или 2П925. Но если вы их планируете использовать на частотах близких к 1 ГГц, то у вас ничего хорошего не выйдет, у них как раз fT = 1 ГГц. А вот использовать их на частотах менее 200 МГц - самое милое дело, особенно в широкополсных усилителях: просто и эффективно. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sokrat 4 17 июля, 2008 Опубликовано 17 июля, 2008 · Жалоба А почему же нельзя использовать, если граница 1гиг? Тогда я совсем запутался. Если у меня верхняя граница 960, мне надо брать транзистор до 2. Зачем же производители пишут, что до гига, если хорошего ничего не выйдет? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
grandrei 0 17 июля, 2008 Опубликовано 17 июля, 2008 (изменено) · Жалоба А чтобы сориентироваться. Например, коэффициент усиления мощности в идеале определяется как Gp = Gp(fT)(fТ/f)^2, где граничная частота по току определяется как fТ = gm/(2*pi*(Cзи+Cзс)), gm - крутизна. Поэтому, как говорится, rule of thumb - это использовать транзистор на рабочей частоте f как минимум в 3 раза меньшей fТ. С другой стороны, чем выше рабочая частота, тем больше добротность входной и выходной цепи (при параллельной конфигурации Q = омега*C*R, где R есть или входное сопротивление или сопротивление нагрузки, C - соответствующая емкость), а следовательно меньше полоса, так как делта(f) = f/Q. Изменено 17 июля, 2008 пользователем grandrei Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sokrat 4 17 июля, 2008 Опубликовано 17 июля, 2008 (изменено) · Жалоба А чтобы сориентироваться. Например, коэффициент усиления мощности в идеале определяется как Gp = Gp(fT)(fТ/f)^2, где граничная частота по току определяется как fТ = gm/(2*pi*(Cзи+Cзс)), gm - крутизна. Поэтому, как говорится, rule of thumb - это использовать транзистор на рабочей частоте f как минимум в 3 раза меньшей fТ. С другой стороны, чем выше рабочая частота, тем больше добротность входной и выходной цепи (при параллельной конфигурации Q = омега*C*R, где R есть или входное сопротивление или сопротивление нагрузки, C - соответствующая емкость), а следовательно меньше полоса, так как делта(f) = f/Q. А можно по-подробнее про первую формулу, а то что-то не совсем понятно, где какие знаки стоят. Вторую и третью формулы помню по учебнику :) , а вот первую. Если не сложно. Спасибо Изменено 17 июля, 2008 пользователем Sokrat Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
grandrei 0 17 июля, 2008 Опубликовано 17 июля, 2008 · Жалоба Gp(fT) - коэффициент усиления мощности на граничной частоте по току fT (transition frequency), обычно равный нескольким единицам. Равным единице он становится на максимальной частоте усиления fmax, где помимо тока и коэффициент усиления напряжения становится единичным. Обычно fmax ненамного выше fT. Поэтому коэффициент усиления мощности на рабочей частоте Gp(f) оценивают как Gp(fT), помноженный на квадрат отношения граничной частоты fT к рабочей f. То есть при (fT/f) = 3 имеем более чем десятикратное усиление на рабочей частоте, с учетом Gp(fT) > 1. Поскольку формула идеализированная, выведенная на базе упрощенных Y-параметров, то в реальности усиление будет поменьше. Про основы можете почитать в главе 6. Когда определитесь с тарнзисторами, пришлю материал по согласованию импедансов. Chapter_6.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sokrat 4 17 июля, 2008 Опубликовано 17 июля, 2008 · Жалоба Вы правы, с основами про усилители туговато. Раньше занималься фильтрами, сделали несколько, неплохо получилось. С усилителем столкнулся впервые, поэтому так плохо. Глава 6 на английском, я сума сойду переводить. Может на русском есть? Спасибо огромное за помощь. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
grandrei 0 17 июля, 2008 Опубликовано 17 июля, 2008 · Жалоба Вы правы, с основами про усилители туговато. Раньше занималься фильтрами, сделали несколько, неплохо получилось. С усилителем столкнулся впервые, поэтому так плохо. Глава 6 на английском, я сума сойду переводить. Может на русском есть? Спасибо огромное за помощь. На русском вы можете найти книжку Богачева В. М. и Никифорова В. В. Транзисторные усилители мощности или Каганова В. И. Транзисторные радиопередачики. Я кое-что взял оттуда, но с непривычки будет трудновато. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Vjacheslav 0 18 июля, 2008 Опубликовано 18 июля, 2008 · Жалоба Вот Вам Spice-model: * .MODEL KP905A NMOS (VTO=3.40928 KP=20U L=2U W=144.821M GAMMA=0 PHI=600M + LAMBDA=5.34071M RD=3.0984 RS=103.139M CBD=304.961P CGSO=1.33845N + CGDO=204.254P TOX=0 NSUB=0 TPG=1 UO=600 RG=88.5886 RDS=4MEG) * Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sokrat 4 18 июля, 2008 Опубликовано 18 июля, 2008 · Жалоба Вот Вам Spice-model: * .MODEL KP905A NMOS (VTO=3.40928 KP=20U L=2U W=144.821M GAMMA=0 PHI=600M + LAMBDA=5.34071M RD=3.0984 RS=103.139M CBD=304.961P CGSO=1.33845N + CGDO=204.254P TOX=0 NSUB=0 TPG=1 UO=600 RG=88.5886 RDS=4MEG) * Спасибо. Попробую что получится. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться