set bit 0 22 января, 2017 Опубликовано 22 января, 2017 · Жалоба Рекомендуемая сборка ESD диодов для SIM800C - ESDA6V1-5W6. В характеристиках Breakdown voltage 6,1-7,2В при 1мА. В характеристиках SP1001-04JTG, не указано напряжение Breakdown voltage. Но указан ток Reverse Voltage Drop в 1ма при 6-8,5В. Для SP1001-04JTG указано напряжение Clamping voltage, для ESDA6V1-5W6 нет. Подойдет ли сборка SP1001-04JTG для защиты интерфейса SIM card, SIM800C? SP1001-04JTG примечательна, тем что, емкость диода 12пФ. против 50пФ у ESDA6V1-5W6. Если сим карты, на 5В, нет, почему рекомендуют применять ESD диоды с напряжение срабатывания 6,1-7,2В? esda6v1_5w6.pdf Littelfuse_TVS_Diode_Array_SP1001.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Baser 5 23 января, 2017 Опубликовано 23 января, 2017 · Жалоба Да любые годятся с емкостью не более оговоренной (50 пФ) А напряжение 6,1-7,2В рекомендуют потому, что это минимальное напряжение, на которое получается делать трансилы. Технологически не получается, ВАХ выходит очень пологой, почти без перегиба. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
